专利详情

专利名称	基于SiSb复合材料的相变存储器单元
申请号	CN200810203357.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101414481	公开（授权）日	2009.04.22
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;张挺;刘波;封松林
主分类号	G11C11/56(2006.01)I	IPC主分类号	G11C11/56(2006.01)I
专利有效期	基于SiSb复合材料的相变存储器单元至基于SiSb复合材料的相变存储器单元	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种基于SiSb复合材料的相变存储器单元。SiSb是一种复合材料，它既具备半导体特性，又具有相变特性，在电信号作用下材料具备在高、低电阻间的可逆转换能力。当SiSb中的硅含量较高(Si含量大于百分之五十原子比)时，SiSb材料为一种n型半导体；而当SiSb中的硅含量较低(Si含量小于百分之三十原子比)时，SiSb材料为一种相变材料，以作为相变存储器单元的存储介质。本发明采用n型的SiSb半导体与p型硅形成二极管结构，并采用较低硅含量的SiSb相变材料作为存储介质，形成1D1R结构(一个二极管和一个电阻)，从而实现数据的存储功能。