专利详情

专利名称	一种容错存储器及其纠错容错方法
申请号	CN200710176138.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101414489	公开（授权）日	2009.04.22
申请（专利权）人	中国科学院计算技术研究所	发明（设计）人	王达;胡瑜;李华伟;李晓维
主分类号	G11C29/24(2006.01)I	IPC主分类号	G11C29/24(2006.01)I;G11C29/42(2006.01)I
专利有效期	一种容错存储器及其纠错容错方法至一种容错存储器及其纠错容错方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种容错存储器及其纠错容错方法，其中的容错存储器包括：第1层存储器阵列、第1层译码逻辑、公有冗余行、公有冗余列和第 1层存储器纠错容错电路，所述第1层存储器阵列由若干个第0层存储器组成；所述第0层存储器包括第0层存储器阵列、第0层译码逻辑、私有冗余行、私有冗余列和第0层存储器纠错容错电路；所述第0层存储器阵列由若干个存储器字组成。其纠错容错方法是首先利用第0层的私有冗余行和冗余列对故障进行替换，如无法替换，则利用第1层的公有冗余行和冗余列对故障进行替换。本发明的优点包括：降低了存储器对测试和修复仪器的依赖，降低了存储器的成本；本发明具有良好的修复效率，提高了存储器的成品率。