专利详情

专利名称	高密度硅纳米晶薄膜的制备方法
申请号	CN200810224677.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101414552	公开（授权）日	2009.04.22
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	陈晨;贾锐;李维龙;朱晨昕;李昊峰;刘明;田继红;路程
主分类号	H01L21/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/00(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I
专利有效期	高密度硅纳米晶薄膜的制备方法至高密度硅纳米晶薄膜的制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明是关于一种高密度硅纳米晶薄膜的制备方法，包括在硅衬底上形成二氧化硅层；将一氧化硅作为靶材通过电子束蒸发法沉积至上述的二氧化硅层上，形成混合物薄膜层；向上述的混合物薄膜层中注入硅离子；以及将混合物薄膜层进行退火，形成高密度的硅纳米晶薄层。本发明通过电子束蒸发一氧化硅靶材配合离子注入法制备高密度硅纳米晶薄膜，具有工艺步骤简单、用途多、能与传统Si基CMOS工艺兼容的优点。采用本发明提供的方法制备的硅纳米晶面密度高达：10¹²cm^-1量级，颗粒直径在5～8 nm范围内。主要应用于硅基第三代太阳能电池芯片关键组件的制备、硅单电子器件、单电子存储器、硅纳米晶浮栅存储器的制备等方面，适合大规模生产的要求。