
有机电子传输和/或空穴阻挡材料及其合成方法和用途
- 申请号:CN200710176008.3
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院理化技术研究所
- 公开(公开)号:CN101414661
- 公开(公开)日:2009.04.22
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 有机电子传输和/或空穴阻挡材料及其合成方法和用途 | ||
申请号 | CN200710176008.3 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101414661 | 公开(授权)日 | 2009.04.22 |
申请(专利权)人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明(设计)人 | 汪鹏飞;李娜;刘卫敏;李述汤 |
主分类号 | H01L51/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/00(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;C07D213/53(2006.01)I;C07D213/78(2006.01)I;C07D405/14(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I |
专利有效期 | 有机电子传输和/或空穴阻挡材料及其合成方法和用途 至有机电子传输和/或空穴阻挡材料及其合成方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明属于有机电致发光器件中的有机电子传输/空穴阻挡材料领域,特 别涉及用于有机电子传输和/或空穴阻挡材料的一类多芳基取代吡啶衍生物 及其合成方法,以及用该类多芳基取代吡啶衍生物材料制备有机电致发光器 件方面的用途。本发明通过分子设计,引入一些具有刚性结构的大取代基使 其不易形成激基复合物,并抑制其结晶过程,改善其成膜性,提高其电荷传 输性能;同时,分子共平面性的破坏将使其发射峰蓝移,进而达到改善器件 性能的目的。本发明的一类多芳基取代吡啶衍生物包括如上结构。 |
交易流程
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