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一种电学双稳态有机薄膜的制备方法

  • 申请号:CN200710176279.9
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN101419815
  • 公开(公开)日:2009.04.29
  • 法律状态:授权
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种电学双稳态有机薄膜的制备方法
申请号 CN200710176279.9 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101419815 公开(授权)日 2009.04.29
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 涂德钰;刘明;刘新华;商立伟;谢常青
主分类号 G11B7/24(2006.01)I IPC主分类号 G11B7/24(2006.01)I;G11B7/26(2006.01)I
专利有效期 一种电学双稳态有机薄膜的制备方法 至一种电学双稳态有机薄膜的制备方法 法律状态 授权
说明书摘要 本发明涉及微电子学与分子电子学中的薄膜材料合成技术领域,公开 了一种电学双稳态有机薄膜的制备方法,包括:将金属M纳米颗粒与有 机材料TCNQ粉末按一定比例混合溶解于有机溶剂之中;在基片上旋涂所 述金属M纳米颗粒与有机材料TCNQ粉末的混合溶液;待溶剂挥发后, 对所述基片在一定温度下进行退火,形成有机电学双稳态有机薄膜。利用 本发明,有效地改善了该薄膜的制备方法,具有工艺过程简单、工艺成本 低等优点,在分子电子器件,有机信息存储方面有着广泛的应用前景。

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