专利详情

专利名称	一种制备交叉分子电子器件的方法
申请号	CN200710176280.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101420014	公开（授权）日	2009.04.29
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	涂德钰;刘明;商立伟;刘新华;谢常青
主分类号	H01L51/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/00(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I
专利有效期	一种制备交叉分子电子器件的方法至一种制备交叉分子电子器件的方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及微电子学与分子电子学中的微细加工技术领域，公开了一种制备交叉分子电子器件的方法，包括：在基片上淀积一层绝缘介质；在该绝缘介质层上旋涂抗蚀剂，在该抗蚀剂上光刻出交叉结构图形；利用抗蚀剂作为掩蔽刻蚀该绝缘介质层，将交叉结构图形转移到绝缘介质层上，然后去除多余的抗蚀剂；沿着交叉结构中线条的一个方向，按一定角度蒸发金属，形成下电极；在下电极上淀积双稳态分子薄膜；沿着交叉结构中线条的另一个方向，按一定角度蒸发金属，形成上电极。利用本发明，有效地改避免金属剥离工艺对有机分子造成的损伤，同时具有工艺流程简单等优点。