专利详情

专利名称	一种有源层图形化的有机薄膜晶体管的制备方法
申请号	CN200710176281.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101420015	公开（授权）日	2009.04.29
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	甄丽娟;商立伟;刘明
主分类号	H01L51/40(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/40(2006.01)I
专利有效期	一种有源层图形化的有机薄膜晶体管的制备方法至一种有源层图形化的有机薄膜晶体管的制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及有机半导体器件及微细加工技术领域，公开了一种有源层图形化的有机薄膜晶体管的制备方法，该方法在金属源漏电极制备完毕之后采用光刻胶作为掩模版，先用真空蒸镀法制备有机半导体薄膜层，再在该有机半导体薄膜层上采用室温PECVD法制备一层保护层，并使该有机半导体薄膜层和该保护层厚度之和小于所述金属源漏电极的厚度，确保去胶液在去除光刻胶掩模版时不与该有机半导体薄膜层相接触造成该有机半导体薄膜层性质的破坏。利用本发明，能够与传统IC工艺完全兼容，所制备的有源层图形化的有机薄膜晶体管具有关态电流小，电流开关比高的性质。