专利详情

专利名称	一种通用CMOS MEMS器件电化学腐蚀绝缘保护方法
申请号	CN200810238812.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101423187	公开（授权）日	2009.05.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	焦斌斌;俞挺;陈大鹏;欧毅;叶甜春
主分类号	B81C5/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C5/00(2006.01)I
专利有效期	一种通用CMOS MEMS器件电化学腐蚀绝缘保护方法至一种通用CMOS MEMS器件电化学腐蚀绝缘保护方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种通用CMOS MEMS器件电化学腐蚀绝缘保护方法，具体操作步骤为：1)固定CMOS MEMS器件于封装盒；2)导通CMOS M EMS器件上与电化学腐蚀相关的焊盘与封装盒对应的焊盘；3)封固封装盒；4)进行腐蚀工艺；5)分离CMOS MEMS器件与封装盒，获得干净的CMOS MEMS器件。本发明的优点是：1.相对于原有制作特殊抗腐蚀绝缘夹具的方法本发明通用方法不需要为每种不同的芯片制作特定的夹具，具有通用性；2.此方法具有更短的加工周期；3.更低的加工成本。