一种对炭材料进行碳化硅涂层的方法
- 申请号：CN200810079793.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院山西煤炭化学研究所
- 公开(公开)号：CN101423422
- 公开(公开)日：2009.05.06
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种对炭材料进行碳化硅涂层的方法 | ||
| 申请号 | CN200810079793.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101423422 | 公开（授权）日 | 2009.05.06 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院山西煤炭化学研究所 | 发明（设计）人 | 史景利;赵文涛;郭全贵;刘朗 |
| 主分类号 | C04B41/65(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B41/65(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种对炭材料进行碳化硅涂层的方法 至一种对炭材料进行碳化硅涂层的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种对炭材料进行碳化硅涂层的方法是将硅粉、丙酮、添加剂、粘结 剂混合，超声分散3～5min制得稳定悬浮液。在炭材料表面电泳沉积Si，以 炭材料作为电极，可得到包覆Si的炭材料。在100～150℃的环境中干燥之 后在电阻炉中加热烧结。加热温度为1000℃～1500℃，保温20～60分钟即可 制备炭材料的SiC涂层。本发明具有工艺过程相对简单，重复性好，沉积 过程快速，所得涂层厚度可控且涂层均匀的优点。 | ||
交易流程
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