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一种基于金属覆盖层的负折射人工材料

  • 申请号:CN200810227029.8
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院光电技术研究所
  • 公开(公开)号:CN101424758
  • 公开(公开)日:2009.05.06
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种基于金属覆盖层的负折射人工材料
申请号 CN200810227029.8 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101424758 公开(授权)日 2009.05.06
申请(专利权)人 中国科学院光电技术研究所 发明(设计)人 罗先刚;胡承刚;赵泽宇;陈旭南
主分类号 G02B5/18(2006.01)I IPC主分类号 G02B5/18(2006.01)I;G02B1/10(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I
专利有效期 一种基于金属覆盖层的负折射人工材料 至一种基于金属覆盖层的负折射人工材料 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 一种基于金属覆盖层的负折射人工材料,其特征包括以下步骤:(1)选择石英基片,并 将其表面抛光;然后在其表面蒸镀一层高纯SiO2膜;(2)在高纯SiO2膜表面蒸镀一层铬膜, 并在其上均匀涂覆一层光刻胶;(3)采用电子束光刻的方法,在光刻胶上制备出介质光栅结 构;(4)采用湿法腐蚀技术,将光刻胶作为掩模,腐蚀掉裸露在外的铬膜;(5)采用干法 腐蚀技术,将铬膜作为掩模,在高纯SiO2膜上刻蚀出介质光栅结构,去除铬膜;(6)采用 真空蒸镀技术,在SiO2光栅结构上蒸镀厚度为h的金属层,基于金属覆盖层的负折射人工材 料制作完成。本发明具有制作简便,单层损耗小,单层正入射的特性,在磁共振、近场光学、 隐身材料等领域具有很大的应用前景。

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