专利详情

专利名称	用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构
申请号	CN200810238814.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101425505	公开（授权）日	2009.05.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	范雪梅;赵超荣;杜寰;胡云中;雒建斌
主分类号	H01L23/544(2006.01)I	IPC主分类号	H01L23/544(2006.01)I
专利有效期	用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构至用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构，所述电路版图结构包括一组独立的铜引线十字单元阵列，所述独立十字单元阵列由至少2个相互独立的十字单元构成，每个独立十字单元由等臂十字结构的铜引线构成。本发明可以用于电学测量铜引线在CMP过程后是否产生凹形坑。此方法结构简单，占用版图面积小，便于嵌入版图中，实验测量方便。采用这种电学方法来测量，不受线条尺寸的影响，可以方便地对整个芯片进行测量，很好地验证芯片CMP的均匀性。