专利详情

专利名称	一种纳米级沟道有机场效应晶体管及其制备方法
申请号	CN200810227456.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101425562	公开（授权）日	2009.05.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	商立伟;刘明;涂德钰;刘舸;刘兴华
主分类号	H01L51/05(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/05(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I
专利有效期	一种纳米级沟道有机场效应晶体管及其制备方法至一种纳米级沟道有机场效应晶体管及其制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明属于有机电子技术领域，特别涉及一种纳米级沟道有机场效应晶体管及其制备方法。为了克服现有技术中成本高的缺陷，本发明提供一种纳米级沟道有机场效应晶体管，包括绝缘衬底上的源电极、绝缘层、漏电极、有机半导体层、栅介质层和栅电极，所述源电极、有机半导体层、栅介质层和栅电极从左至右依次设置在绝缘衬底的上表面上；所述源电极上方从下到上依次设有绝缘层和漏电极，分别与有机半导体层接触；所述源电极、绝缘层和漏电极合起来的厚度与有机半导体层、栅介质层和栅电极的厚度相同。本发明通过控制绝缘层的厚度来控制器件的沟道长度，避免了昂贵的电子束光刻，大幅度地降低制备纳米级沟道有机晶体管的难度，从而减少了制备的成本。