专利详情

专利名称	用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法
申请号	CN200710176930.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101430503	公开（授权）日	2009.05.13
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	涂德钰;刘明;谢常青;刘新华;商立伟
主分类号	G03F7/00(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/00(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I;G03F7/26(2006.01)I;G03F7/32(2006.01)I;C23C14/00(2006.01)I
专利有效期	用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法至用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法，包括：清洗基片，烘干；在基片上旋涂LOR型抗蚀剂作为双层胶的底层胶，烘干；在LOR层上旋涂ZEP520型电子束抗蚀剂作为顶层胶，前烘；电子束光刻，对顶层胶进行曝光；对曝光后的顶层胶进行显影、定影，吹干，得到顶层胶光刻图形；利用顶层胶光刻图形做掩蔽，使用LOR腐蚀剂对底层胶进行腐蚀，得到所需的内切图形；在得到的内切图形上蒸发金属；依次去除顶层胶与底层胶，完成剥离工艺，得到所需金属图形。利用本发明，解决了双层胶的内切结构变得模糊不清的问题，具有分辨率高、可靠性高、重复性好等优点，在纳米电子器件制备中有着广泛的应用前景。