专利详情

专利名称	一种电阻转换存储单元及其方法
申请号	CN200810200269.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101430930	公开（授权）日	2009.05.13
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张挺;宋志棠;丁晟;刘波;封松林;陈邦明
主分类号	G11C16/04(2006.01)I	IPC主分类号	G11C16/04(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I
专利有效期	一种电阻转换存储单元及其方法至一种电阻转换存储单元及其方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种电阻转换存储单元及其方法，其结构包括：阈值电压可调的场效应晶体管及其阈值电压调节电路；以及至少一个与上述每个场效应晶体管对应连接的电阻转换存储单元。在存储器写、擦编程需要大电流时，通过晶体管体端电压的调整将晶体管的阈值电压调低，从而获得较大的输出电流；而在读操作或者存储器待机时，则不调整阈值电压或将晶体管的阈值电压调高，此外待机时还可获得较低的漏电流，提升存储器在待机时的稳定性，避免串扰。通过阈值电压的降低，在RESET和SET编程时调低阈值电压；采用该发明选通相变存储器，可以减小场效应晶体管的长度，即提升了场效应晶体管选通相变存储器芯片的密度。