专利详情

专利名称	增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管及其制备方法
申请号	CN200810227461.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101431028	公开（授权）日	2009.05.13
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	徐静波;张海英;黎明;付晓君
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I
专利有效期	增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管及其制备方法至增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管及其制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管及其制备方法。该制备方法包括：在P+-Si衬底的正面生长栅氧介质SiO₂；在P+-Si衬底的背面形成背栅电极；在P+-Si衬底的正面形成定位标记；在P+-Si衬底的正面完成氧化锌纳米线的转移和淀积；在P+-Si衬底的正面完成纳米线的定位；在 P+-Si衬底的正面制作源漏电极；退火处理。本发明提供的增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管制备方法，实现了阈值电压大于零伏的增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管。