专利详情

专利名称	三维CMOS与分子开关器件的混合集成电路结构的制备方法
申请号	CN200710176933.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101431032	公开（授权）日	2009.05.13
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	涂德钰;刘明;王慰;商立伟;谢常青
主分类号	H01L21/50(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/50(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I
专利有效期	三维CMOS与分子开关器件的混合集成电路结构的制备方法至三维CMOS与分子开关器件的混合集成电路结构的制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种三维CMOS与分子开关器件的混合集成电路结构的制备方法，包括：在基片制备标准的CMOS器件；在该CMOS器件上覆盖一层钝化层；对该钝化层进行光刻、刻蚀形成通孔；沉积金属填充通孔，化学机械打磨将多余金属层去除，留下通孔中金属形成互连；在得到的器件表面制备分子开关器件金属电极，通过通孔与CMOS器件互连，作为底层芯片；在该底层芯片上淀积具有电双稳态开关特性分子薄膜；重复上述步骤制备顶层芯片；按分子开关器件上下两组金属电极交叉成一定角度，将顶层芯片倒扣，连接在底层芯片上。利用本发明避免了不在同一平面上的通孔与上下电极的影响，同时将电路集成度提高了一倍，具有较高的创新意义及实用价值。