专利详情

专利名称	非门逻辑电路及其形成方法
申请号	CN200810227459.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101431328	公开（授权）日	2009.05.13
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	徐静波;张海英
主分类号	H03K19/20(2006.01)I	IPC主分类号	H03K19/20(2006.01)I;H03K19/094(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	非门逻辑电路及其形成方法至非门逻辑电路及其形成方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及非门逻辑电路及其形成方法。该非门逻辑电路，包括：一输入端，用于接收输入电压信号；一增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其栅电极耦接至所述输入端，其源电极耦接至接地点；一耗尽型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其漏电极耦接至电压源，其栅电极、其源电极、以及所述增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的漏电极耦接于一点，以该点作为输出端，用于输出电压信号。本发明利用氧化锌纳米线材料和氧化锌纳米线场效应晶体管制作技术以及互连技术，实现基于氧化锌纳米线场效应晶体管的直接耦合场效应逻辑的非门逻辑电路。