
坩埚与籽晶联动生长大尺寸非线性光学晶体的方法及装置
- 申请号:CN200810057687.7
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院理化技术研究所
- 公开(公开)号:CN101503819
- 公开(公开)日:2009.08.12
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 坩埚与籽晶联动生长大尺寸非线性光学晶体的方法及装置 | ||
申请号 | CN200810057687.7 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101503819 | 公开(授权)日 | 2009.08.12 |
申请(专利权)人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明(设计)人 | 胡章贵;赵营 |
主分类号 | C30B11/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B11/00(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I |
专利有效期 | 坩埚与籽晶联动生长大尺寸非线性光学晶体的方法及装置 至坩埚与籽晶联动生长大尺寸非线性光学晶体的方法及装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及的坩埚与籽晶联动生长大尺寸非线性光学晶体的方法,为在熔盐 法生长非线性光学晶体的生长过程中,籽晶放在熔体之中或表面,籽晶和坩埚按 一定的旋转周期同步反向旋转;装置包括晶体生长设备和驱动籽晶和坩埚按一定 的旋转周期同步反向旋转的控制器;该同步反向旋转的旋转周期为:在第一方向 的依次加速旋转、匀速旋转、减速旋转和停止旋转,之后,再向与第一方向相反 的第二方向依次加速旋转、匀速旋转、减速旋转和停止旋转。本发明采用籽晶和 坩埚同步反向旋转且旋转速度可调,有利于生长初期籽晶排杂,生长出有规则形 貌单晶,降低甚至消除晶体过重导致籽晶所受力矩过大而扭断的风险。 |
交易流程
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专利 -
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