专利详情

专利名称	具有新型电极结构的相变存储器的制备方法
申请号	CN200910045441.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101504969	公开（授权）日	2009.08.12
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	吕士龙;宋志棠;刘波;封松林
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	具有新型电极结构的相变存储器的制备方法至具有新型电极结构的相变存储器的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明揭示了一种具有新型电极结构的相变存储器的制备方法，包括如下步骤：在硅片上面应用化学气相沉积的方法制备一层SixN介质层；依次沉积Al 层、Ti层、TiN层，使其作为底层电极；在上述底层电极上使用超高真空电子束蒸发法制备SixO作为绝缘层；旋涂负性抗蚀剂；利用电子束曝光制备设定长度直径圆的阵列以及后续光刻的对准标记；刻蚀所述氧化硅，形成氧化硅柱的阵列；使用化学气相沉积法沉积金属材料钨，使其均匀包裹氧化硅柱；沉积相变材料；沉积氧化硅作为介质保护层；氧化硅开孔；顶层电极制备。本发明可以有效地降低热传导速率，降低热量在该部分体积中的损失；同时可以将高温点向相变材料层转移，更有利于器件性能的提升。