专利详情

专利名称	带熔丝校准的CMOS带隙基准电压源
申请号	CN200910087341.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101923366A	公开（授权）日	2010.12.22
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	范涛;袁国顺
主分类号	G05F3/24(2006.01)I	IPC主分类号	G05F3/24(2006.01)I
专利有效期	带熔丝校准的CMOS带隙基准电压源至带熔丝校准的CMOS带隙基准电压源	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种带熔丝校准的CMOS带隙基准电压源，包括：PTAT电流产生电路，用于产生与绝对温度成正比的PTAT电流IPTAT；CTAT电流产生电路，用于产生CTAT电流ICTAT；闭环补偿电流产生电路，用于产生闭环补偿电流ICL；熔丝校准电路，用于对工艺偏差进行校准；输出基准电压产生电路，用于产生参考电压源Vref；所述PTAT电流产生电路与CTAT电流产生电路相连接，所述CTAT电流产生电路与闭环补偿电流产生电路相连接，所述输出基准电压产生电路分别与CTAT电流产生电路和闭环补偿电流产生电路相连接。利用本发明，有效地提高了补偿电流的精确度，进而提高了输出参考电压的温度稳定性。