专利详情

专利名称	一种用于重金属离子现场检测的无动力微流控芯片及其制作和使用方法
申请号	CN200810202738.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101435807	公开（授权）日	2009.05.20
申请（专利权）人	中国科学院上海应用物理研究所	发明（设计）人	樊春海;宋世平;何世江
主分类号	G01N31/00(2006.01)I	IPC主分类号	G01N31/00(2006.01)I;G01N33/48(2006.01)I;G01N35/00(2006.01)I
专利有效期	一种用于重金属离子现场检测的无动力微流控芯片及其制作和使用方法至一种用于重金属离子现场检测的无动力微流控芯片及其制作和使用方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种用于重金属离子现场检测的多通道无动力微流控芯片及其制作和使用方法。该微流控芯片包括基片层以及与该基片层相封接的通道片层，该通道片层包括单个或多个通道，该通道两端分别连接有进样孔和出样孔；该基片层和该通道片层均由聚二甲基硅氧烷材料制成，该通道片层的厚度为8mm至20mm。该芯片的进样方式不需外部能量，仅仅利用聚二甲基硅氧烷的存储气体的能力，经过抽真空前处理就可以达到现场使用的效果。本微流控芯片与不同种类的纳米金探针结合，适用于现场不同种类的重金属离子实时快速检测。