专利详情

专利名称	电阻转换存储器及其制造方法
申请号	CN200810207813.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101436607	公开（授权）日	2009.05.20
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张挺;宋志棠;陈小刚;顾怡峰;刘波;封松林;陈邦明
主分类号	H01L27/24(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/24(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I
专利有效期	电阻转换存储器及其制造方法至电阻转换存储器及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明揭示一种电阻转换存储器及其制造方法，该电阻转换存储器包括选通单元及数据存储单元；选通单元采用肖特基二极管；所述肖特基二极管包括至少一层含锑材料层、至少一层半导体层；数据存储单元包括至少一层含锑材料层。本发明存储器中含锑金属不仅作为电阻转换的存储介质，而且作为肖特基二极管中的金属层，甚至可以作为存储器芯片中的导电位线。本发明还提出了多种制造基于含锑金属(或合金)的电阻转换存储器的方法，有望在获得高密度、低成本的固态存储器的竞争中获得较大优势。