专利详情

专利名称	基于含锑的肖特基二极管及自对准制造方法
申请号	CN200810207453.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101436614	公开（授权）日	2009.05.20
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张挺;宋志棠;顾怡峰;刘波;封松林
主分类号	H01L29/872(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/872(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I
专利有效期	基于含锑的肖特基二极管及自对准制造方法至基于含锑的肖特基二极管及自对准制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种基于含锑的肖特基二极管，其包括：轻掺杂的半导体层及与所述轻掺杂的半导体层紧密接触的金属层，其中所述金属层含锑。此外，本发明还提供多种自对准制造基于含锑的肖特基二极管阵列的方法，首先在本征或第一导电类型半导体基底上形成第二导电类型的重掺杂层，然后在第二导电类型的重掺杂层上形成第二导电类型的轻掺杂区，接着采用自对准法在轻掺杂区沉积含锑的金属区，使各金属区与相应的轻掺杂区形成肖特基接触进而制造出肖特基二极管阵列。