专利详情

专利名称	基于单晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法
申请号	CN200810240275.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101441112	公开（授权）日	2009.05.27
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	何伟;明安杰;薛惠琼;焦斌斌;欧毅;陈大鹏
主分类号	G01J5/20(2006.01)I	IPC主分类号	G01J5/20(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	基于单晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法至基于单晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及一种基于单晶硅PN结温度特性的非制冷红外探测器阵列及其制备方法。该阵列的制备方法包括：步骤A.硅片氧化还原，在纵向形成所述底硅层，埋氧层与顶硅层，同时通过底硅刻蚀，形成深槽，填充及平坦化，以在横向划分红外探测单元；步骤B.在每一红外探测单元中的顶硅层设置数个串联的单晶硅PN结；步骤C.在每一红外探测单元中形成所述电气连接布线，在所述单晶硅PN结与所述电气连接线上形成钝化层；步骤D、在每一红外探测单元中制作悬空的绝热悬臂梁，刻蚀所述底硅层，形成所述空腔。本发明利用单晶硅PN结的良好的温度特性，通过测量单晶硅PN结两端的电压的变化，以获得红外辐射强弱的探测结果。