专利详情

专利名称	一种制作纳米级图形的方法
申请号	CN200710177797.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101441410	公开（授权）日	2009.05.27
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	傅剑宇;陈大鹏;景玉鹏;欧毅;叶甜春
主分类号	G03F7/00(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	一种制作纳米级图形的方法至一种制作纳米级图形的方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种制作纳米级图形的方法，该纳米级图形是将图形数据转化成二进制信号控制微动台二维x-y方向的运动和金属尖端电压的加载，利用尖端加载电压后产生的电子束对电子抗蚀剂进行曝光获得的，包括：在样品表面涂上一层电致抗蚀剂薄膜，在微动台上固定金属微尖端；将涂有电致抗蚀剂薄膜的样品加载到微动台上，与微尖端保持一定的距离；将装载有金属尖端和样品的微动台放置到真空腔体中，并利用真空泵对腔体抽真空；利用软件编程将被加工图形数据转换成二进制信号，用该二进制码控制微动台做二维x-y方向的运动，并给金属微尖端加载电压，通过在强电场下尖端发射的低能电子束对电子抗蚀剂进行曝光；对曝光后的样品进行显影、定影。本发明有效地解决了浸没式光刻成本高和聚焦电子束存在邻近效应影响分辨率的问题。