专利详情

专利名称	基于区域几何同构和电学同构加速哑金属填充的方法
申请号	CN201110352024.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102508969A	公开（授权）日	2012.06.20
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	吴玉平;陈岚;叶甜春
主分类号	G06F17/50(2006.01)I	IPC主分类号	G06F17/50(2006.01)I
专利有效期	基于区域几何同构和电学同构加速哑金属填充的方法至基于区域几何同构和电学同构加速哑金属填充的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于区域几何同构和电学同构加速哑金属填充方法，包括：线网电学特性计算；物理版图区域划分；根据所述物理版图区域划分的结果进行区域内图形几何同构和根据所述线网电学特性计算的结果进行区域内电学同构；将同构的区域进行优化填充；将上述区域填充的数据进行复用，以进一步对同构的区域进行填充。本发明提供的方法可解决现有哑金属填充方法中采用串行计算导致的填充速度慢的问题和采用串行计算导致的匹配物理版图冗余金属填充几何失配和电学失配的问题。