专利详情

专利名称	基于场致电子发射原理的微尖端阵列器件及其制作方法
申请号	CN200710177795.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101441962	公开（授权）日	2009.05.27
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	傅剑宇;陈大鹏;景玉鹏;欧毅;叶甜春
主分类号	H01J1/304(2006.01)I	IPC主分类号	H01J1/304(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I
专利有效期	基于场致电子发射原理的微尖端阵列器件及其制作方法至基于场致电子发射原理的微尖端阵列器件及其制作方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种基于场致电子发射原理的微尖端阵列器件，由氮化硅薄膜隔离端1、附着有低功函数金属的微尖端2和布有金属导线的布线凹槽3构成。其中，隔离端1用于在器件工作时避免微尖端与被加工材料接触，控制微尖端与被加工材料表面的距离；微尖端2用于根据尖端放电的原理，当在焊盘与所要加工的材料之间加上一微小电压时，尖端处产生很强的电场，造成大量电子穿透势垒逸出；布线凹槽3用于附着或容纳作为导线的金属，作为线路通道实现对各个微尖端的控制。本发明同时公开了基于场致电子发射原理的微尖端阵列器件的制作方法。利用本发明，实现了高分辨率纳米级图形加工和高密度数据存储，解决了单探针工作效率低的问题。