专利详情

专利名称	一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法
申请号	CN201110375016.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102509721A	公开（授权）日	2012.06.20
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	汪宁;王显泰;苏永波;郭建楠;金智
主分类号	H01L21/8252(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/8252(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I
专利有效期	一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法至一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法，包括：在InP衬底正面的外延层上制作MMIC电路；涂敷光刻胶层保护该MMIC电路，形成InP基片；将该InP基片、蓝宝石双面抛光片和磨花玻璃基板采用石蜡黏合，形成5层叠层结构；对该5层叠层结构中InP基片的背面进行研磨减薄和抛光；在该InP基片背面的抛光面上制作Ni掩膜层；采用HF酸腐蚀去除部分Ni掩膜层；用HBr气体从该InP基片背面进行刻蚀，刻穿InP衬底及衬底正面的外延层，直至外延层上的MMIC电路；在该Ni掩膜层上溅射Ti/Au起镀层；在该Ti/Au起镀层上电镀Au；超声剥离该Ti/Au起镀层之外的Au，得到背面金属结构；融化高温石蜡，分离该5层叠层结构中的蓝宝石双面抛光片。