专利详情

专利名称	GaAs CCD图形传感器圆片级芯片尺寸封装工艺
申请号	CN201110419761.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102509718A	公开（授权）日	2012.06.20
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	王双福;罗乐;徐高卫;韩梅
主分类号	H01L21/768(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/768(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	GaAs CCD图形传感器圆片级芯片尺寸封装工艺至GaAs CCD图形传感器圆片级芯片尺寸封装工艺	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种GaAs?CCD图像传感器圆片级芯片尺寸封装结构工艺，其特征在于①首先通过树脂粘接剂进行玻璃晶圆和砷化镓晶圆键合，保护芯片有源面并提高芯片晶圆强度；②然后通过湿法腐蚀或者物理方法制作梯形槽结构，使芯片互连区衬底厚度减薄；③接着通过干法刻蚀技术制作垂直互连通孔，使芯片有源面焊盘暴露出来；④再溅射种子层金属并电镀，制作孔金属化和RDL层，从而实现芯片有源面到芯片背面的电路互连；⑤然后制作钝化层、UBM层和凸点；⑥最后划片形成独立封装芯片。背面梯形槽结构只在有焊盘区域进行减薄，有效地降低了成本，而且垂直通孔互连能提高封装互连密度，缩短信号传输路径。