专利详情

专利名称	一次掩膜光刻同时定义有机薄膜晶体管源漏栅电极的方法
申请号	CN200710177796.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101442104	公开（授权）日	2009.05.27
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	甄丽娟;商立伟;刘兴华;刘明
主分类号	H01L51/40(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/40(2006.01)I
专利有效期	一次掩膜光刻同时定义有机薄膜晶体管源漏栅电极的方法至一次掩膜光刻同时定义有机薄膜晶体管源漏栅电极的方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种有机薄膜晶体管的制备方法，利用一次掩膜光刻同时定义出有机薄膜晶体管的源漏栅电极，包括：在衬底正面形成具有透光性的有机绝缘栅介质层；用保护卡具保护有机绝缘栅介质层，腐蚀衬底的背面至介质层镂空；在有机绝缘层正面和背面涂光刻胶，从正面对光刻胶进行曝光，同时曝光背面光刻胶，在显影液中显影，形成源漏电极的正性光刻胶掩模版和栅电极的负性光刻胶掩模版；在有机绝缘介质层正面、正性光刻胶掩模版、有机绝缘介质层背面和负性光刻胶掩模版上形成金属层，剥离形成源、漏、栅电极；在有机绝缘介质层正面，源漏电极上形成有机半导体层。本发明能够与传统的硅平面工艺兼容，制备的有机薄膜晶体管器件寄生电容小高频特性好。