介孔氧化钨/碳复合导电材料的制备方法
- 申请号：CN201110359857.9
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN102500360A
- 公开(公开)日：2012.06.20
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 介孔氧化钨/碳复合导电材料的制备方法 | ||
| 申请号 | CN201110359857.9 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102500360A | 公开（授权）日 | 2012.06.20 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 崔香枝;施剑林 |
| 主分类号 | B01J23/30(2006.01)I | IPC主分类号 | B01J23/30(2006.01)I;H01M4/90(2006.01)I |
| 专利有效期 | 介孔氧化钨/碳复合导电材料的制备方法 至介孔氧化钨/碳复合导电材料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种介孔氧化钨/碳复合导电材料的制备方法，包括以未去除表面活性剂的介孔二氧化硅为模板、以钨盐为钨源、以所述表面活性剂为碳源，在惰性气体保护下经热处理原位碳化以得到所述介孔WO3/C复合导电材料。本发明的方法巧妙地重复利用了合成介孔二氧化硅模板材料时的表面活性剂，以其作为碳源在惰性气氛保护下经过热处理后被原位碳化，与同时形成的WO3原位复合在一起。 | ||
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