专利详情

专利名称	基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置
申请号	CN201110343625.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102502481A	公开（授权）日	2012.06.20
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	毛旭;方志强;杨晋玲;杨富华
主分类号	B81C3/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C3/00(2006.01)I
专利有效期	基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置至基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置，该系统包括真空腔室、支架平台、键合装置、电流源和真空泵组，其中：真空腔室，用于提供键合所需的真空或惰性气氛；键合装置，位于真空腔室内部的支架平台上，用于对待键合圆片提供键合压力，并向外部电流源和待键合圆片提供电气连接通路；电流源，通过真空腔室侧壁上的电学穿通件与键合装置相连，为待键合圆片键合区域的电阻丝提供电流，实现局域电阻加热；真空泵组，连接于真空腔室底部，用于对真空腔室抽真空。本发明提供的键合系统及装置，结构紧凑，制作和组装简单，在高真空或可控惰性气体中完成键合，可避免键合过程中氧化物的形成及其对键合质量产生的不良影响。