制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法
- 申请号：CN201210093564.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN102623588A
- 公开(公开)日：2012.08.01
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法 | ||
| 申请号 | CN201210093564.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102623588A | 公开（授权）日 | 2012.08.01 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 孙波;赵丽霞;伊晓燕;刘志强;魏学成;王国宏 |
| 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 专利有效期 | 制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法 至制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上依次外延生长u-GaN层、n-GaN层、多量子阱层和p-GaN耦合层；步骤3：在p-GaN耦合层上生长纳米金属层；步骤4：在纳米金属层上生长一P-GaN盖层；步骤5：在P-GaN盖层上生长一p-GaN电流扩展层，完成外延结构的制备。本发明是利用金属的核壳结构的等立体增强绿光发光二极管的内量子效率。 | ||
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