专利详情

专利名称	相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法
申请号	CN201110033252.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102623484A	公开（授权）日	2012.08.01
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李宜瑾;宋志棠;凌云;刘燕;刘波;龚岳峰;张超;吴关平;杨左娅
主分类号	H01L27/24(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/24(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I
专利有效期	相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法至相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法，所述制备方法包括：在P型半导体衬底表面进行离子注入，退火生成重掺杂的N型半导体层；在重掺杂的N型半导体层的表面进行外延生长，形成本征半导体层；进行刻蚀工艺以形成用于隔离字线的第一沟槽；在第一沟槽内进行沉积以形成作为相邻字线之间隔离的第一隔离层；再进行刻蚀工艺以形成第二沟槽；在第二沟槽内进行沉积以形成第二隔离层；在本征半导体层内进行离子注入以形成选通二极管；字线的宽度至少为选通二极管的宽度的一倍以上；形成位于字线之上的字线引出电极。相较于现有技术，本发明可以提高选通二极管驱动电流以及降低串扰电流，确保存储器读写操作的一致性和稳定性。