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一种二氧化钒薄膜的制备方法

  • 申请号:CN201110027223.3
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 公开(公开)号:CN102603203A
  • 公开(公开)日:2012.07.25
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种二氧化钒薄膜的制备方法
申请号 CN201110027223.3 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102603203A 公开(授权)日 2012.07.25
申请(专利权)人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明(设计)人 高彦峰;刘新玲;康利涛;罗宏杰;金平实
主分类号 C03C17/23(2006.01)I IPC主分类号 C03C17/23(2006.01)I
专利有效期 一种二氧化钒薄膜的制备方法 至一种二氧化钒薄膜的制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种二氧化钒薄膜的制备方法,包括如下步骤:1)将带羟基的羧酸溶解于双氧水中,并用氨水调节溶液的pH值大于7;然后加入硫酸氧钒,获得反应溶液,反应完成后,加入有机溶剂,静置,生成沉淀,分离沉淀,得到钒的过氧配合物;2)将步骤1)所得钒的过氧配合物和和添加剂溶解于水中形成水溶液,将所述水溶液镀膜于衬底上,然后在惰性气氛中经热处理后得到二氧化钒薄膜。本发明所提供的二氧化钒薄膜的制备方法,所涉及工艺简单,所得薄膜光学调控性能良好。本发明所制得二氧化钒薄膜可应用于智能温控涂层、光致开关以及存储器等领域。

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