
一种二氧化钒薄膜的制备方法
- 申请号:CN201110027223.3
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号:CN102603203A
- 公开(公开)日:2012.07.25
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种二氧化钒薄膜的制备方法 | ||
申请号 | CN201110027223.3 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102603203A | 公开(授权)日 | 2012.07.25 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明(设计)人 | 高彦峰;刘新玲;康利涛;罗宏杰;金平实 |
主分类号 | C03C17/23(2006.01)I | IPC主分类号 | C03C17/23(2006.01)I |
专利有效期 | 一种二氧化钒薄膜的制备方法 至一种二氧化钒薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种二氧化钒薄膜的制备方法,包括如下步骤:1)将带羟基的羧酸溶解于双氧水中,并用氨水调节溶液的pH值大于7;然后加入硫酸氧钒,获得反应溶液,反应完成后,加入有机溶剂,静置,生成沉淀,分离沉淀,得到钒的过氧配合物;2)将步骤1)所得钒的过氧配合物和和添加剂溶解于水中形成水溶液,将所述水溶液镀膜于衬底上,然后在惰性气氛中经热处理后得到二氧化钒薄膜。本发明所提供的二氧化钒薄膜的制备方法,所涉及工艺简单,所得薄膜光学调控性能良好。本发明所制得二氧化钒薄膜可应用于智能温控涂层、光致开关以及存储器等领域。 |
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