专利详情

专利名称	改善微机械非制冷红外成像芯片中反光板平整度的方法
申请号	CN200710178317.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101446758	公开（授权）日	2009.06.03
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	欧毅;史海涛;陈大鹏;景玉鹏;李超波;焦斌斌
主分类号	G03F7/00(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/00(2006.01)I;G03F7/004(2006.01)I;G03F7/26(2006.01)I;G01J5/08(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I
专利有效期	改善微机械非制冷红外成像芯片中反光板平整度的方法至改善微机械非制冷红外成像芯片中反光板平整度的方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明公开了一种改善微机械非制冷红外成像芯片中反光板平整度的方法，包括：在硅衬底正面涂光学光刻胶，光刻曝光出反光板加强筋图形；刻蚀硅衬底上的反光板加强筋图形；在硅衬底双面生长氮化硅；在硅衬底背面涂光学光刻胶，光刻曝光得到背面腐蚀窗口图形；刻蚀背面腐蚀窗口的氮化硅；在硅衬底正面套版光刻出反光板及回折梁图形，蒸发金属铬层并超声剥离；刻蚀硅衬底正面的氮化硅；去除作为掩蔽层的金属铬，得到反光板和回折梁图形；在硅衬底正面套刻反光板图形，在曝光显影后蒸发铬/金，超声剥离；在硅衬底正面套刻回折梁图形，在曝光显影后蒸发铬/金，超声剥离；去除反光板和回折梁下方的硅衬底，释放结构。本发明提高了最终的红外成像效果。