专利详情

专利名称	纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法
申请号	CN201210093601.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102610715A	公开（授权）日	2012.07.25
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	孙波;赵丽霞;伊晓燕;刘志强;魏学成;王国宏
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法至纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种纳米无荧光粉白光氮化镓发光二极管的制作方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上外延生长GaN缓冲层1和n-GaN层；步骤3：在n-GaN层上通过纳米技术制作GaN纳米线模板；步骤4：在GaN纳米线模板上生长GaN过渡层；步骤5：在GaN过渡层上生长InGaN量子盘；步骤6：在InGaN量子盘上生长p-GaN层，形成基片；步骤7：将基片一侧的部分刻蚀掉，刻蚀深度到达n-GaN层内，形成台面；步骤8：在n-GaN层的台面上制作下电极；步骤9：在p-GaN层上制作上电极，完成发光二极管的制作。由于本方法采用的是纳米的模板的基底，能很好地释放应力，从而降低Droop效应，增加LED的发光效率。