一种引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法
- 申请号：CN200710178316.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN101447440
- 公开(公开)日：2009.06.03
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法 | ||
| 申请号 | CN200710178316.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101447440 | 公开（授权）日 | 2009.06.03 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 于进勇;刘新宇;金智;程伟;夏洋 |
| 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法 至一种引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法，包 括：在制作的亚微米HBT发射极金属/HEMT栅金属之上制作牺牲介 质层，并剥离形成带有牺牲介质层的HBT发射极金属/HEMT栅金属； 在基片具有HBT发射极/HEMT栅的表面之上涂平坦化材料，使基片 表面平坦；刻蚀所述平坦化材料，暴露所述牺牲介质层；移除牺牲介 质层，暴露需要互联的金属；清洗后，光刻、蒸发，制作金属互联。 利用本发明，提高了引出的可靠性和稳定性，降低了工艺的复杂度。 | ||
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