专利详情

专利名称	制作单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管的方法
申请号	CN200710178310.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101447449	公开（授权）日	2009.06.03
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	徐静波;张海英;叶甜春
主分类号	H01L21/82(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/82(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I
专利有效期	制作单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管的方法至制作单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制作单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管的方法，该方法依次包括以下工艺步骤：光刻PIN上电极、蒸发上电极金属、剥离上电极金属、PIN台面腐蚀隔离、同时光刻PIN下电极和 PHEMT源漏，蒸发PIN下电极和PHEMT源漏金属、剥离PIN下电极和PHEMT源漏金属、欧姆接触合金、PHEMT台面腐蚀隔离、PHEMT 栅光刻、栅槽腐蚀、蒸发栅金属、剥离栅金属、生长钝化介质、刻孔、一次布线光刻、蒸发布线金属、剥离布线金属。本发明将GaAs基 PHEMT和PIN二极管集成在同一块衬底上，实现了单片集成GaAs基 PHEMT和PIN二极管。