专利详情

专利名称	自支撑透明高导电PEDOT薄膜及其制备方法
申请号	CN201210025319.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102604334A	公开（授权）日	2012.07.25
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	陈立桅;吴丹
主分类号	C08L65/00(2006.01)I	IPC主分类号	C08L65/00(2006.01)I;C08K5/42(2006.01)I;C08K5/3432(2006.01)I;C08G61/12(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I
专利有效期	自支撑透明高导电PEDOT薄膜及其制备方法至自支撑透明高导电PEDOT薄膜及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种自支撑透明高导电PEDOT薄膜及其制备方法。该薄膜由聚3，4-乙撑二氧噻吩和小分子掺杂剂构成；其制备方法为：在经亲水处理后的基片表面上涂覆含氧化剂和碱抑制剂的溶液形成有氧化剂和碱抑制剂混合物层，而后将基片表面暴露于含有乙撑二氧噻吩单体的气氛中，使乙撑二氧噻吩单体在7℃~120℃的温度下于基片表面聚合形成聚合物薄膜，其后将聚合物薄膜从基片表面剥离、洗涤，获得目标产品。本发明的PEDOT薄膜无需添加高分子成膜剂，具有优良的力学性能和电学性能，电导率在10-1~103S/cm范围内可控，透光率在20%~88%范围内可控，且制备工艺简单，易于控制。