专利详情

专利名称	单片集成砷化镓基MHEMT和PIN二极管材料结构
申请号	CN200710178311.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101447484	公开（授权）日	2009.06.03
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	徐静波;张海英;叶甜春
主分类号	H01L27/06(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/06(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I
专利有效期	单片集成砷化镓基MHEMT和PIN二极管材料结构至单片集成砷化镓基MHEMT和PIN二极管材料结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种单片集成GaAs基MHEMT和PIN二极管材料结构，该结构由GaAs基MHEMT和PIN二极管两部分组成，所述GaAs 基MHEMT和所述PIN二极管被N型高掺杂腐蚀截止层InP隔开；所述GaAs基MHEMT由在GaAs衬底上依次分子束外延生长的缓冲层 GaAs、应变缓冲层In_xAl_1-xAs、沟道下势垒层In_0.52Al_0.48As、沟道层 In_0.53Ga_0.47As、空间隔离层In_0.52Al_0.48As、平面掺杂层、势垒层 In_0.52Al_0.48As和N型高掺杂盖帽层In_0.53Ga_0.47As构成；所述N型高掺杂腐蚀截止层InP在所述N型高掺杂盖帽层In_0.53Ga_0.47As上分子束外延生长而成；所述PIN二极管由在N型高掺杂腐蚀截止层InP上依次分子束外延生长的N型掺杂层In_0.53Ga_0.47As、不掺杂层In_0.53Ga_0.47As和P 型掺杂层In_0.53Ga_0.47As构成。本发明将GaAs基MHEMT和PIN二极管集成在同一块衬底上，实现单片集成GaAs基MHEMT和PIN二极管。