专利详情

专利名称	单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构
申请号	CN200710178321.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101447485	公开（授权）日	2009.06.03
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	徐静波;张海英;叶甜春
主分类号	H01L27/06(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/06(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I
专利有效期	单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构至单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构，该结构由GaAs基PHEMT和PIN二极管两部分组成，所述GaAs 基PHEMT和所述PIN二极管被N型高掺杂腐蚀截止层AlAs隔开；所述GaAs基PHEMT由在GaAs衬底上依次分子束外延生长的缓冲层 GaAs、十个周期的Al_0.22Ga_0.78As/GaAs超晶格层、沟道下势垒层 Al_0.22Ga_0.78As、沟道层In_0.2Ga_0.8As、空间隔离层Al_0.22Ga_0.78As、平面掺杂层、势垒层Al_0.22Ga_0.78As、N型高掺杂盖帽层GaAs构成；所述N型高掺杂腐蚀截止层AlAs在所述N型高掺杂盖帽层GaAs上分子束外延生长而成；所述PIN二极管由在N型高掺杂腐蚀截止层AlAs上依次分子束外延生长的N型高掺杂层GaAs、不掺杂层GaAs、P型掺杂层 GaAs构成。本发明将GaAs基PHEMT和PIN二极管集成在同一块衬底上，实现单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管。