一种制备金属栅电极的方法
- 申请号：CN200710178281.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN101447421
- 公开(公开)日：2009.06.03
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 一种制备金属栅电极的方法 | ||
| 申请号 | CN200710178281.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101447421 | 公开（授权）日 | 2009.06.03 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 周华杰;徐秋霞 |
| 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种制备金属栅电极的方法 至一种制备金属栅电极的方法 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于超深亚微米技术互补金属氧化物半导体器 件以及电路的金属栅电极的制备方法，包括：局部氧化隔离或浅槽隔 离，进行注入前氧化，然后注入14N+；漂净注入前氧化膜，栅氧化， 并沉积多晶硅；光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极；注入杂质，并进行杂 质激活；淀积金属镍Ni，退火硅化，使金属镍和多晶硅完全反应形成 全硅化物金属栅；选择去除未反应的金属镍Ni。利用本发明，达到了 调节栅电极的功函数的目的。 | ||
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