一种调节全硅化金属栅的栅功函数的方法
- 申请号：CN200710178324.4
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN101447454
- 公开(公开)日：2009.06.03
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 一种调节全硅化金属栅的栅功函数的方法 | ||
| 申请号 | CN200710178324.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101447454 | 公开（授权）日 | 2009.06.03 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 周华杰;徐秋霞 |
| 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种调节全硅化金属栅的栅功函数的方法 至一种调节全硅化金属栅的栅功函数的方法 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种调节全硅化金属栅的栅功函数的方法，包括： 局部氧化隔离或浅槽隔离，进行注入前氧化，然后注入14N+；漂净注 入前氧化膜，栅氧化，并沉积多晶硅；光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极； 注入金属杂质；淀积金属镍Ni，退火硅化，使金属镍和多晶硅完全反 应形成全硅化物金属栅；选择去除未反应的金属镍Ni。利用本发明， 易于集成，实现了与CMOS工艺的良好兼容。 | ||
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