专利详情

专利名称	管状栅电极垂直沟道有机场效应晶体管及其制备方法
申请号	CN200810227455.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101447552	公开（授权）日	2009.06.03
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	商立伟;刘明;涂德钰;刘舸;刘兴华
主分类号	H01L51/05(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/05(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I
专利有效期	管状栅电极垂直沟道有机场效应晶体管及其制备方法至管状栅电极垂直沟道有机场效应晶体管及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了管状栅电极垂直沟道有机场效应晶体管，属于有机微电子学领域。该器件包括绝缘衬底上的源电极、介质层、半导体层、管状栅电极以及金属漏电极。其中器件的栅电极为管状，包裹在中心区的有机半导体层外围。栅电极和有机半导体层之间通过栅介质互相隔离开。源电极和漏电极均为平面电极，分别位于器件的底部和顶部，通过介质层和栅电极分离。本发明提供的器件结构通过把沟道方向从水平转变为垂直，只需要控制薄膜的生长厚度就能够有效控制器件的沟道长度，避免了昂贵的电子束光刻，是一种低成本的短沟道有机场效应晶体管。同时本发明还提供了这种器件的制备方法。