专利详情

专利名称	垂直腔面发射激光器列阵的串接结构
申请号	CN200810051624.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101447647	公开（授权）日	2009.06.03
申请（专利权）人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	发明（设计）人	史晶晶;王立军;秦莉;刘云;宁永强
主分类号	H01S5/42(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/42(2006.01)I;H01S5/024(2006.01)I
专利有效期	垂直腔面发射激光器列阵的串接结构至垂直腔面发射激光器列阵的串接结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明是一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵的串接结构，涉及光电子及半导体技术领域。该结构包括热沉、热沉表面的金属膜、垂直腔面发射激光器列阵芯片、金属条、流入电极、流出电极及金丝引线、发光单元。该发明实现了VCSEL列阵的串接，结构紧凑，所有的引线都分布在外侧，VCSEL列阵芯片排列紧密，有效的发光面积大，发光密度大。在不提高驱动电流的前提下进一步提高VCSEL列阵的输出功率，拓展了VCSEL列阵的应用范围。使用高导热材料做为热沉散热，又使用热传导效率较高的焊料，加之VCSEL列阵芯片的工作方式是脉冲工作，因此，基本解决了散热问题。