专利详情

专利名称	一种采用零点Q值增强技术的双二阶单元
申请号	CN200810227127.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101447778	公开（授权）日	2009.06.03
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	陈勇;周玉梅
主分类号	H03H11/04(2006.01)I	IPC主分类号	H03H11/04(2006.01)I;H03H11/12(2006.01)I
专利有效期	一种采用零点Q值增强技术的双二阶单元至一种采用零点Q值增强技术的双二阶单元	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种采用零点Q值增强技术的双二阶单元，包括：一差分输入级，包括两个PMOS晶体管，接收差分输入信号；一内部源极跟随器，包括两个PMOS晶体管，接收差分输入级的输出信号；一电流源，提供双二阶单元支路电流；一级间差分电容，包括两个电容，确定双二阶单元的极点特性；一反相前馈电容元件，包括两个电容，抵消非理想因素，提高零点Q 值；一同相前馈电容元件，包括两个电容，确定双二阶单元的复数共轭零点特性。本发明解决了零点Q值降低的问题，提出一种采用零点Q值增强技术的双二阶单元，可以采用级联设计方法实现零极点型高阶滤波器。