专利详情

专利名称	一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法
申请号	CN201110030283.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102623336A	公开（授权）日	2012.08.01
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	汪宁;陈中子;陈晓娟;刘新宇;罗卫军;庞磊
主分类号	H01L21/335(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/335(2006.01)I
专利有效期	一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法至一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法，应用于GaAs?pHEMT功率器件与电路半导体工艺中的后道工艺，该方法采用减薄研磨工艺降低衬底的厚度，采用纳米抛光液对外延结构的衬底进行化学机械抛光，采用溅射钛/镍合金的方法制作掩膜，使用ICP工艺进行深背孔刻蚀，采用减薄工艺制备出了厚度超薄、抛光面形貌优良的衬底，并配合ICP刻蚀工艺，制作出侧壁光滑的深孔结构；采用溅射钛/钨/金复合层金属的方法形成背金起镀层，之后电镀金形成背面金属，降低背面接地电阻，同时大大改善了电路的散热问题。