专利详情

专利名称	一维ZnO/SnO₂核壳结构纳米异质结半导体材料的制备方法
申请号	CN201210068382.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102618849A	公开（授权）日	2012.08.01
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	孟祥敏;黄兴
主分类号	C23C16/448(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/448(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C04B35/628(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一维ZnO/SnO₂核壳结构纳米异质结半导体材料的制备方法至一维ZnO/SnO₂核壳结构纳米异质结半导体材料的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种一维ZnO/SnO2核壳结构纳米异质结半导体材料的制备方法。该方法采用热蒸发法在一维ZnO纳米材料上包覆SnO2制备一维ZnO/SnO2核壳结构纳米异质结半导体材料。该方法重复性高、可控性强、环境友好，且SnO2包覆均匀。制备出的ZnO/SnO2一维核壳结构纳米异质结材料在太阳能电池、气体传感器以及光催化等领域中具有广泛的研究价值和应用前景。

交易流程

1、源头对接，价格透明

2、平台验证，实名审核

3、合同监控，代办手续

4、专员跟进，交易保障

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