专利详情

专利名称	一种半导体存储器件的复位方法
申请号	CN201110028102.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102623059A	公开（授权）日	2012.08.01
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	冀永辉;丁川;王凤虎;刘明
主分类号	G11C16/20(2006.01)I	IPC主分类号	G11C16/20(2006.01)I
专利有效期	一种半导体存储器件的复位方法至一种半导体存储器件的复位方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种半导体存储器件的复位方法，属于存储器技术领域。所述方法包括：对半导体存储器件进行擦除操作，将所述半导体存储器件的阈值电压降低至预设电压Vref以下；执行第一轮软编程操作，将所述半导体存储器件的阈值电压调整至（Vref-0.5，Vref）范围内；执行第二轮软编程操作，将所述半导体存储器件的阈值电压调整至（Vref-0.5，Vref+0.05）范围内。通过本发明的复位方法，有效地解决了半导体存储器件复位速度和复位精度之间的矛盾，一方面提高了半导体存储器件的复位速度，另一方面使得复位后的半导体存储器件阈值电压分布范围大大减小。